大家要牢记，电工是要到工厂企业凭着技术去动手干活的，而不是去电气设计和研究的.电工理论知识的学习是我们的一个重点，首先还是要讲学习的方法，磨不误砍柴工；有很多的学员在始学习的时候信心很足，干劲也很大。但学习了一段时间后就学习不下去了，感觉是越来越难学了，认为自己的文化水平太低、电工的知识太难了，就失去了学习的兴趣.其实这主要是学习的方法不对，在不必要的地方消耗了自己太多的时间和精力，了太多的无用功。

废旧电缆利用方法
1.手工剥皮法：该法采用人工进行剥皮，效率低、成本高，而且工人的操作环境较差；
2.焚烧法：焚烧法是一种传统的方法，使废线缆的塑料皮燃烧，然后其中的铜，但产生的烟气污染极为严重，同时 ，在焚烧过程中铜线的表面严重氧化，降低了金属率，该法已经被各国严格禁止；
3.机械剥皮法：采用线缆剥皮机进行，该法仍需要人工操作，属半机械化，劳动强度大，效率低，而且只适用粗径线缆；
4.化学法：化学法废线缆技术是在上个世纪90年代提出的，一些 曾进行研究，我国在“八五”期间也进行过研究。该法有一个的缺点是产生的废液无法，对环境有较大的影响，故很少采用；
5.冷冻法：该法也是上个世纪九十年代提出的，采用液氮制冷剂，使废线缆在极低的温度下变脆，然后经过破碎和震动，使塑料皮与铜线段分离，我国在“八五”期间也曾经立项研究，但此法的缺点是成本高，难以进行工业化的生产

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废旧电缆：长期高价各类电线电缆、橡套电缆、硅橡胶电缆、氟塑料电缆、塑料电缆、电缆、绝缘电线、耐油、耐寒、耐温、耐磨线缆、塑料线缆、油纸力缆、塑料绝缘控制电缆、油浸纸绝缘电缆、空气绝缘电缆、矿物绝缘电缆、低烟无卤、低烟低卤线缆、同轴电缆、阻燃电缆、裸电线、电磁线、工厂电缆、电缆、生产用电线电缆、机电用电线电缆服务。通信电缆：长期高价地下通信电缆、光纤光缆、同轴通信电缆、市内通信电缆、煤矿专用通信电缆、煤矿用阻燃通信电缆、矿用通信软电缆、屏蔽通信电缆、铠装通信电缆、阻燃通信电缆、计算机电缆、信号电缆、数据电缆、架空通信电缆、电视电缆、电子线缆、射频电缆、长途通信电缆、架空通信电缆、船用通信电缆、防潮通信电缆、室内通信电缆、mhyvp矿用通信电缆、MHYBV矿用通信电缆、HYV通信电缆、mhyvr通信电缆、hya53通信电缆、HYAT通信电缆、HYAC通信电缆、HYA通信电缆、服务。

出厂默认值为0往复测量时的值往复测量时的值：在多圈往复测量模式下，把编码器的起始点作为往复测量的值。往复测量时的值：在多圈往复测量模式下，把编码器的终点作为往复测量的值。编码器地址使用MODBUSRTU总线信号的编码器进行多个（≤9）编码器对一个RS485接口作从站连接时，可 .）注意 下面，“编程允许线接地时允许通讯握手”前面的√必须打上，如果不打√就是主动发送模式。三极管按材料分有两种：硅管和锗管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用 多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，取代一些硅原子，在电压激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）；两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e（Emitter）、基极b(Base)和集电极c(Collector)。事件驱动的组织块：延时中断OB20~OB23在过程事件出现后延时一定时间再执行中断程序，硬件中断OB40~OB47用于需要快速响应的过程事件，时间出现时马上中止当前正在执行的程序，执行对应的中断程序。版权所有。异步错误中断0B80~OB87和同步错误中断OB12OB122用来决定出现错误时系统如何响应。中断的优先级：也就是组织块的优先级，如果在执行中断程序（组织块）时，又检测到一个终端请求，CPU将比较两个中断源的中断优先级，如果优先级相同，按照产生中断请求的先后次序进行。比较这三次测量出来的正、反向电阻，一定有两次的测量结果接近：即两次测量的正向电阻接近、负向电阻也接近；那么剩下的一次必然是正、反向电阻都较大，于是，可以得出结论，正、反向电阻都偏大的那一次，未测量的哪个引脚就是这只三极管的基极。PN结，定管型找出这只三极管的基极引脚之后，就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定该只三极管是PNP型还是NPN型。将万用表的黑表笔连接到该只三极管的基极，红表笔连接到另外两个电极中的任何一个，如果表头指针偏转角度很大，则说明这只三极管是NPN型三极管，如果表头指针偏转角度很小，说明这只三极管为PNP型三极管。场效应管通常分为两类：JFET和MOSFET。这两类场效应管都是压控型的器件。场效应管有三个电极，分别为：栅极漏极D和源极S。目前MOSFET应用广泛，JFET相对较少。MOSFET可以分为NMOS和PMOS，下图是PMOS的结构图、NMOS和MOSFET的电路符号图。PMOS的结构是这样的：在N型硅衬底上了两个P型半导体的P+区，这两个区分别叫源极S和漏极D，在N型半导体的绝缘层上引出栅极G。