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断路器是关的一种，因此断路器也具有上述这两个参数。我 008《低压关设备和控制设备第2部分：断路器》中有如下定义：也对于断路器来说，它有三个重要参数与分断能力相对应。这三个参数分别是：额定短路分断能力、额定运行短路分断能力Ics、额定极限短路分断能力Icu。显见，对于关而言，它不可能具备这三个参数，因而关绝不可能具有分断短路电流的能力。总结一下：关是被动元件。为了减轻和抵制这些电磁干扰对电网以及电子设备产生的危害，工程技术人员在电路设计中加了X电容和Y电容。4X电容作用X电容用来消除差模干扰。主要是起滤波作用，与共模电感匹配，并联在输入的两端，滤除L、N线之间的差模信号。通常选用耐纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容，体积较大其允许瞬间充放电的电流比较大，而其内阻相应较小。另外X电容也会采用塑封的方形高压CBB电容，CBB电容不但有更好的电气性能，而且与电源的输入端并联可以有效的减小高频脉冲对电源的影响。模拟量优点：PLC程序编制简单方便，调速曲线平滑连续、工作稳定。缺点：在大规模生产线中，控制电缆较长，尤其是DA模块采用电压信号输出时，线路有较大的电压降，影响了系统的稳定性和可靠性。PLC采用RS-485通讯方法控制变频器这是使用得 为普遍的一种方法，PLC采用RS串行通讯指令编程。优点：硬件简单、造价，可控制32台变频器。缺点：编程工作量较大。PLC采用RS-485的Modbus-RTU通讯方法控制变频器RS-485端子利用Modbus-RTU协议与PLC进行通讯。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。NPN型三极管在三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流子。我们先看一下Y型接法，如下所示：再看一下△型接线，如下所示：在上面的接线中，零火线可以调换；如果需要反转把接电容的一条线换到电容的另外一端即可。电容选用电容应选用油浸式金属膜纸介电容，耐压值必须取450V以上。运行电容的计算公式：C=1950I/Ucosφ，C为运行电容容量（uf-微法），I是电机额定电流值（A），U是额定电压，cosφ是功率因数，一般电机上都有标注。根据经验：1KW的电机一般用70uf左右的电容就差不多了，具体可以根据自己的负载情况进行调整。